Projekt
Galvanisch getrennter Inkrementalsensor (GalGIS)
Im Projekt wurde eine neue Technologie entwickelt, die eine galvanische Trennung, also eine elektrische Spannungsfestigkeit bis 1500 V, der einzelnen Kanäle eines Fotodioden-Arrays auf engstem Bauraum ermöglicht. Als Demonstrator der Ergebnisse diente ein Drehratensensor.
Forschungseinrichtung:
CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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