Projekt

Integrierte Reflektoren für MEMS IR-Strahler (IReMIS)

Durch eine neuartige Wafermontagelösung wurden MEMS IR Strahler entwickelt, in deren miniaturisiertes Chip Gehäuse ein Reflektor und eine Abdeckkappe integriert wurden. Dadurch sind die Chips hermetisch dicht und weisen eine verbesserte Strahldichte im Spektralbereich über sieben Mikrometer auf.

Projekt

MEMS-Gravimeter (M-Gravi)

Im Projekt wurden die Grundlagen zur Fertigung langzeitstabiler und kosteneffizienter MEMS-Gravimeter entwickelt. Die Sensoren sollen Orts und zeitaufgelöste Änderungen der Gravitation in mobilen Anwendungen erfassen können etwa zur präzisen Erkundung geologischer Gegebenheiten der Erdoberfläche.

Projekt

Glowing Body Silicon Emitter

Im Projekt Glowing Body Silicon Emitter wurden neuartige, siliziumbasierte Infrarotemitter sowie ein dafür geeignetes Packaging auf Waferlevel entwickelt.

Projekt

Black Silicon

Nanostrukturiertes Silizium weist je nach Strukturgröße und Form signifikant andere optische und elektrische Eigenschaften im Vergleich zum Volumenkristall auf. Es wurden sogenannte Black-Silicon-Strukturen entwickelt, die für neuartige Detektoren im UV- und IR-Bereich zum Einsatz kommen sollen.

Projekt

Richtungssensitiver Quadrantendetektor

Ein winziger und einfach integrierbarer Mikrochip bestimmt die Lichteinfallsrichtung auf wenige Grad genau. Der monolithische Sensor basiert auf vier integrierten Fotodioden in einem 3D-strukturierten Siliziumsubstrat. Die neuentwickelte MEMS-Technologie erlaubt eine kostengünstige Fertigung.

Projekt

Planarisiertes Wafer Level Packaging für Mikrosensoren (PlanWLP)

Wafer-Level-Bondverfahren erfordern extrem plane und saubere Grenzflächen. Durch übliche Halbleiterprozesse werden die Grenzflächen aber gestört. Das Projekt verfolgt dafür technologiekompatible Planarisierungsverfahren, die auch für solche Sensoren ein hermetisches Wafer-Level-Package ermöglichen.

Projekt

Miniaturisierter Drucksensor für einen Druckbereich kleiner 10 mbar

Die Entwicklung eines extrem kleinen Drucksensors für den Messbereich kleiner zehn Millibar erfordert neue technologische Prinzipien in der Membranentwicklung. Um die marktüblichen Spezifikationen zur Empfindlichkeit einzuhalten, wurden Siliziumoxid und Siliziumnitrid-Membranen untersucht.

Projekt

Micro-Structure Transformation of Silicon (MSTS)

Ziel war es, für Basistechnologien zur Migration von sub-Mikrometer Si-Strukturen zunächst Einzelprozesse und darauf aufbauend Prozessmodule zu entwickeln. Als Demonstratoren wurden Strukturverrundungen, lokale SOI-Bereiche sowie absolut messende piezoresistive Drucksensoren angestrebt.

Projekt

Berechnung und Verifikation von Piezokoeffizienten im Drucksensor-Design-Flow (Piezo)

Die Kennlinienberechnung piezoresistiver Widerstandsbrücken differiert oftmals mit den an den realisierten Bauelementen gemessenen Kennlinien. Mittels lokaler quantenmechanischer Bestimmung der Piezo-Konstanten wurde diese Fehlerursache bewertet und eliminiert.

Projekt

Evaluierung druckbarer Materialsysteme für IR-Strahler (DruMa4IR)

Das Projekt zielt auf die Entwicklung kostengünstiger Prozesse und druckfähiger Materialsysteme für die Herstellung thermischer Infrarotemitter ab, die insbesondere als Lichtquelle für optische Gassensoren Verwendung finden.