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  • Durchflussmesszelle mit Cantilever, passiviert durch ALD-Al2O3 - © CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH

    Projekt

    Langzeitresistente Silicium-Sensorchip-Abdeckungen für Intrakorporale medizinische Anwendungen (PassDru)

    Der direkte Medienkontakt ist für siliziumbasierte Mikrosensoren aufwendig umzusetzen. Um die Miniaturisierung vollständig auszunutzen, wird der Korrosionsschutz auf Chipebene aufgebracht. Damit wird eine Anwendung in anspruchsvolleren Umgebungen auch ohne zusätzliche Schutzkonstruktionen möglich.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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  • Draufsicht auf den Sensor, Aktor - © CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH

    Projekt

    Multiphysikalischer Sensor für harsche Umweltbedingungen (BAT)

    Es wurde ein elektrostatischer Aktor zur Ultraschallgenerierung, gekoppelt mit einem piezoresistiven Detektor als Basis für verschiede ultraschallbasierte Sensorsysteme entwickelt. Die Art der Herstellung gewährleistet eine sichere Funktion unter harschen Umgebungsbedingungen.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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  • Lasermikroskop Flächenscan einer Grauwertlackstruktur mit flachen Kanten - © CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH

    Projekt

    Zweiebenenmetallisierung mit hoher Schichtdicke und flachen Kanten (DiDoMet)

    Durch die Strukturierung flacher Kanten konnten Metallbahnen größerer Dicke und damit höherer Leitfähigkeit übereinander geführt werden. Dies ermöglicht Strahlungsdetektoren mit verkippten Leitbahnen.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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  • Vereinzelter TREX-Sensor mit einer Dicke von 70 Mikrometer. Bei dieser Dicke wird das Silizium derart elastisch, dass eine reversible Biegung möglich ist. © CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH

    Projekt

    Doppelseitige, großflächig gedünnte Strahlungsdetektoren (DLAT)

    Durch die Kombination aus nasschemischen Kavitäten-Ätzens und nicht-planarer Fotolithographie wurden doppelseitige, großflächig gedünnte Strahlungsdetektoren (DLAT) entwickelt.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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  • Schematische Darstellung für das entwickelte SmartFLU-Modul - © CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik

    Projekt

    Smartes, hoch miniaturisiertes Fluorimeter (SmartFLU)

    Für Fluorimeter wurden smarte, hoch miniaturisierte und hochauflösende Elektronik- und Optikkomponenten entwickelt. Basis bilden Fotodioden mit speziellen Antireflexschichten, neuartige dichroitische Strahlteiler, Bandpässe mit hoher Winkelakzeptanz und spezielle optisch-richtungsselektive Filter.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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  • © CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH

    Projekt

    Tastsystem mit stark reduzierter Antastkraft (TARZAN)

    Ein miniaturisiertes Sensorsystem enthält zwei unabhängig arbeitende Kraft- und Wegsensoren und dient der Bestimmung der instrumentierenden Eindringhärte. Das Abbesche Komparatorprinzip bleibt gewahrt, ebenso die Konformität zu einschlägigen Industrienormen.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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  • Si-Wafer mit Membranstrukturen, lokal gewachsene synthetische Diamantschichten. Selektives Wachstum über Liftoff der Seeding-Schicht. Weitere Strukturierung der Diamantschicht nicht notwendig - © CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH

    Projekt

    Gezieltes Wachstum synthetischer Diamant-Schichten für Drucksensoren (GeWaDiS)

    Drucksensoren mit einer Passivierung aus synthetischem Diamant sind besonders medienresistent. Eine kostengünstige Herstellung der Diamantschichten in relevanten Sensorbereichen wurde mittels Adaption von Technologien der Mikrosystemtechnik zuverlässig erprobt.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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  • Absolutdrucksensorchips - © CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH

    Projekt

    Rückwirkungsfreier Direktaufbau von MEMS-Sensoren – RUDIS

    Durch die optimale Kombination von Sensorchip und Trägerplatine kann auf zusätzliche Gegenkörper verzichtet werden. Dies vereinfacht die Füge-/Fertigungstechnik und reduziert deren Kosten. Als Basis dienten Drucksensoren unterschiedlichen Designs.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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  • Mittels Glasfrit-Bonden gefügter Si-DMS (0,5 x 0,5 mm2) auf Edelstahlmembran - © CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH

    Projekt

    Miniaturisierte, siliziumbasierte Dehnungsmesssensoren (Si-DMS)

    Die dauerhafte und kraftübertragungsoptimierte Montage von siliziumbasierten Dehnungsmesssensoren auf dem Messkörper ist erfolgskritisch für den erfolgreichen Einsatz. Unterschiedliche thermische Ausdehnungskoeffizienten sowie die Langzeitstabilität stellen hierbei besondere Herausforderungen dar.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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  • Strukturierter Silizium-Schaltungsträger mit Siebdruck-Metallisierung - © CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH

    Projekt

    Preiswerte Silizium-Träger auf Basis der Siebdrucktechnologie (SiSi)

    Durch Adaption von kosteneffizienten lithographie-unabhängigen Verfahren für die Fertigung von siliziumbasierten Mikrosensoren entstand eine Technologieplattform für preiswertes Assembly, welches weitere Miniaturisierungspotentiale bietet.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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