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  • Sensorgeometrie im Querschnitt (links); Veranschaulichung der technologischen Lösung (rechts) - © CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH

    Projekt

    Multilayer-Aufbauten für chemisch resistente, langzeitstabile Sensorik

    Harsche Umgebungsbedingen erfordern robuste und stabile Drucksensoren. Mit der Neu- und Weiterentwicklung von Wafer-Level Packaging Technologien werden die Performance gesteigert, Einsatzbereiche erweitert und Herstellkosten gesenkt. Als Demonstrator dient ein Differenzdrucksensor.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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  • Quanteneffizienz als Funktion der Wellenlänge für ein im Projekt entwickelten UV Detektor. Diode 1 ist im sichtbaren Bereich des Spektrums nicht empfindlich.

    Projekt

    Gesteuerte Defektdynamik in Silizium zur verbesserten UV-Stabilität (GeDeSi)

    Ziel ist die Entwicklung eines Degradationsmodells zur Beschreibung der Degradationsdynamik von Silizium-basierten UV Detektoren unter UV Bestrahlung. Zusätzlich sollen auf Basis der Experimente design rules zur Herstellung degradationsstabiler Silizium-basierter UV-Detektoren aufgestellt werden.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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  • Vermessung der Höhenuniformität mittels Lasermikroskopie - © CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH

    Projekt

    Innovative Chip-to-Chip Interconnections für high-end Systemanforderungen (I2CON)

    Um die Granularität von großflächigen hybriden Pixel-detektoren erhöhen zu können, wurden neue Techniken für platzsparende vielkanalige Chip-zu-Chip-Verbindungen entwickelt. Dünne Detektoren und ASICs wurden basierend auf Cu-Pillars mit Palladiumkappen miteinander verbunden.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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  • Wafermap - © CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH

    Projekt

    Integrierte piezoresistive Siliziumkraftsensoren (INKA)

    Eine Technologie für die kompatible Integration von piezoresistivem Siliziumdrucksensor und hochpräzisem CMOS-Verstärker wurde entwickelt. Die neue Lösung bietet eine rauscharme und störungsfreie Signalverarbeitung, dabei werden die Eigenschaften des Kernsensors nicht beeinflusst.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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  • Demonstratormodul bestehend aus einem FE-I4 Auslesechip und einem Glaschip zur Veranschaulichung der im Projekt realisierten Verbindungstechnik

    Projekt

    Technological Sensor Optimisation of Radiation Detectors (TENSOR)

    Bias-Grids sind für den elektrischen Test von Pixeldetektoren notwendig. Besonders die Metall-Kontakte beeinträchtigen die Performance. Alternative Grid-Lösungen und Technologien wurden entwickelt und erprobt. Die Empfindlichkeit wurde verbessert, andere Parameter erfüllen die Zielspezifikationen.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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  • Foto eines Wafers mit in diesem Forschungsvorhaben gefertigten n-in-p Pad Detektoren - © CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH

    Projekt

    Defektengineeringprozesse in p-Typ Silizium (DeSiD)

    Durch geeignete Prozessmodifikationen bei der Prozessierung von Strahlungsdetektorwafern wie Sauerstoffanreicherung, wurde die Strahlenresistenz von Detektoren für ionisierende Strahlung wesentlich erhöht. Die Wirksamkeit wurde an n-in-p Silizium-Testdetektoren durch Bestrahlungstests nachgewiesen.

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  • Auf Siliziumgegenkörper aufgebrachter Bolometerchip - © CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH

    Projekt

    Wärmestrahlungssensor – Sensor for Heat Radiation (SHeRa)

    Zur Herstellung empfindlicher Infrarot-Strahlungsdetektoren wurde ein neues Konzept zur thermischen Isolation und mechanischen Stabilität in einem Silizium-Waferprozess umgesetzt. Diese Sensoren besitzen eine hohe optische Empfindlichkeit und können in rauhen Industrieumgebungen eingesetzt werden.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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  • Im Rahmen des Projektes entwickeltes Konfigurationsdiagramm des ASi-Sii-Defektes - © CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH

    Projekt

    Defektengineering im Silizium zur Optimierung von Sensoreigenschaften (SiPlus)

    Die Performance verschiedener Silizium-basierter Sensoren hängt entscheidend von Volumendefekten ab. Korrelationen zwischen Art und Konzentration der Defekten und den Sensoreigenschaften wurden mittels weiterentwickelter Analysemethoden nachgewiesen und ermöglichen gezielt technologische Maßnahmen.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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  • Messungen an durchströmten Teflonschlauch - © CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH

    Projekt

    Mikro-Laser-Doppler Sensor (MiLD)

    Ziel war die Entwicklung eines miniaturisierten Sensors für die Geschwindigkeitsmessung mit dem Laser-Doppler-Verfahren. Die bidirektionale Baugruppe enthält die benötigte(n) Laserquelle(n), Photoempfänger und Signalaufbereitung.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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  • Innenleben und Gehäuse des Sensor-Demonstrators (zirka sechs Zentimeter hoch) - © CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH

    Projekt

    KomBreSSe - Kompakter Brechungsindex- und Schichtdicken-Sensor

    Mit dem kompakten optischen Sensor können dünne Oberflächenbeschichtungen kontaktlos charakterisiert werden. Das Funktionsprinzip basiert auf der polarisationsabhängigen Reflexionsmessung unter schrägem Lichteinfall von mindestens zwei Lichtwellenlängen.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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