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  • Durchflussmesszelle mit Cantilever, passiviert durch ALD-Al2O3 - © CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH

    Projekt

    Langzeitresistente Silicium-Sensorchip-Abdeckungen für Intrakorporale medizinische Anwendungen (PassDru)

    Der direkte Medienkontakt ist für siliziumbasierte Mikrosensoren aufwendig umzusetzen. Um die Miniaturisierung vollständig auszunutzen, wird der Korrosionsschutz auf Chipebene aufgebracht. Damit wird eine Anwendung in anspruchsvolleren Umgebungen auch ohne zusätzliche Schutzkonstruktionen möglich.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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  • Sensorgeometrie im Querschnitt (links); Veranschaulichung der technologischen Lösung (rechts) - © CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH

    Projekt

    Multilayer-Aufbauten für chemisch resistente, langzeitstabile Sensorik

    Harsche Umgebungsbedingen erfordern robuste und stabile Drucksensoren. Mit der Neu- und Weiterentwicklung von Wafer-Level Packaging Technologien werden die Performance gesteigert, Einsatzbereiche erweitert und Herstellkosten gesenkt. Als Demonstrator dient ein Differenzdrucksensor.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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  • Elektronenkonzentration bei T=30 K. Quantenmechanische Simulation einer Diode - © CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH

    Projekt

    Temperaturabhängige Ladungsträgereigenschaften (TELA)

    Gegenstand des Projektes war es, Datensätze über die prinzipiellen Eigenschaften der Ladungsträger zu gewinnen, die verlässliche Simulationen erlauben. Das betrifft vor allem die Ladungsträgerkonzentrationen und –beweglichkeiten.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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  • Wafermap - © CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH

    Projekt

    Integrierte piezoresistive Siliziumkraftsensoren (INKA)

    Eine Technologie für die kompatible Integration von piezoresistivem Siliziumdrucksensor und hochpräzisem CMOS-Verstärker wurde entwickelt. Die neue Lösung bietet eine rauscharme und störungsfreie Signalverarbeitung, dabei werden die Eigenschaften des Kernsensors nicht beeinflusst.

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  • Absolutdrucksensorchips - © CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH

    Projekt

    Rückwirkungsfreier Direktaufbau von MEMS-Sensoren – RUDIS

    Durch die optimale Kombination von Sensorchip und Trägerplatine kann auf zusätzliche Gegenkörper verzichtet werden. Dies vereinfacht die Füge-/Fertigungstechnik und reduziert deren Kosten. Als Basis dienten Drucksensoren unterschiedlichen Designs.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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  • Mittels Glasfrit-Bonden gefügter Si-DMS (0,5 x 0,5 mm2) auf Edelstahlmembran - © CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH

    Projekt

    Miniaturisierte, siliziumbasierte Dehnungsmesssensoren (Si-DMS)

    Die dauerhafte und kraftübertragungsoptimierte Montage von siliziumbasierten Dehnungsmesssensoren auf dem Messkörper ist erfolgskritisch für den erfolgreichen Einsatz. Unterschiedliche thermische Ausdehnungskoeffizienten sowie die Langzeitstabilität stellen hierbei besondere Herausforderungen dar.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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  • Bespiel für thermisch induzierte mechanische Spannung im Drucksensorchip infolge unterschiedlicher therm. Ausdehnungskoeffizienten von Drucksensorchip aus Silizium und Grundplatte aus Stahl mit TO-Sockel - © CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH

    Projekt

    Drucksensorchip mit hoher Langzeitstabilität (DumBo)

    Bei hochpräzisen Drucksensoren ist die Langzeitstabilität entscheidend. Sie wird durch die Montage des Drucksensorchips in das Gehäuse und die Änderungen der Montagespannungen beeinflusst. Untersucht wurden Lösungen, die ein Durchgreifen dieser Spannungen auf den Sensor verhindern oder kompensieren.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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  • Präzisions-Dehnmessstreifen auf einer Edelstahlschraube - © CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH

    Projekt

    Bondverfahren mittels integrierter reaktiver Metallschichten (iRMS)

    Durch die Beherrschung von exothermen Reaktionen nanoskalierter Metallschichten steht eine Fügeverfahrenstechnologie für Mikroverbindungen zur Verfügung. Die technologischen Möglichkeiten für eine Produktion, im Sinne technologischer Parameterstabilität und Wirtschaftlichkeit wurden betrachtet.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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  • Demonstrator des MereDiD-Differenzdrucksensors - © CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH

    Projekt

    Medienresistenter Differenzdrucksensor - MeReDiD

    Primärziel des Projektes war die Entwicklung kostengünstiger Differenzdrucksensoren mit hoher Präzision, Stabilität und Zuverlässigkeit für den Einsatz in aggressiven und korrosiven Medien, beispielsweise in Abgasen von Verbrennungsmotoren oder in Hydraulikölen.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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  • Prinzipdarstellung des Druck- und Temperatursensors im Dreiviertel-Schnitt

    Projekt

    Optisch auslesbarer Druck- und Temperatursensor (ODTS)

    Es wurden komplexe Silizium-Strukturen entwickelt, die eine räumlich und thermisch entkoppelte optische auslesbare Temperatur- und Druckmessung unter Beachtung der ektromagnetischen Verträglichkeit gestatten. Dabei erfolgt eine statische und dynamische Auswertung der Signale in der Auswerteeinheit.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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