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  • Drucken von leitfähigen Bahnen im Mikro-Dispensverfahren im 3D-Druck

    Projekt

    Drucken leitfähiger Strukturen

    Es wurden flexible, sensortaugliche, leitfähige Strukturen und deren Integration in dehnbare Polymerverbunde entwickelt, indem elektrisch leitfähige Polymermassen durch einen Digitaldruckprozess auf elastische Polymersubstrate appliziert wurden. Damit konnten Widerstandssensoren hergestellt werden.

    Forschungseinrichtung: FILK Freiberg Institute gGmbH
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  • gemessene Druck-Temperaturkennlinie an einer polykristallinen Silizium Widerstandsstruktur auf einer Testmembran @ CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH

    Projekt

    Miniaturisierter Drucksensor für einen Druckbereich kleiner 10 mbar

    Die Entwicklung eines extrem kleinen Drucksensors für den Messbereich kleiner zehn Millibar erfordert neue technologische Prinzipien in der Membranentwicklung. Um die marktüblichen Spezifikationen zur Empfindlichkeit einzuhalten, wurden Siliziumoxid und Siliziumnitrid-Membranen untersucht.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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  • Teststrukturen PIEZO für die Messung der Piezokoeffizienten - © CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH

    Projekt

    Berechnung und Verifikation von Piezokoeffizienten im Drucksensor-Design-Flow (Piezo)

    Die Kennlinienberechnung piezoresistiver Widerstandsbrücken differiert oftmals mit den an den realisierten Bauelementen gemessenen Kennlinien. Mittels lokaler quantenmechanischer Bestimmung der Piezo-Konstanten wurde diese Fehlerursache bewertet und eliminiert.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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  • Hochtemperatur-Drucksensor auf TO8-Sockel, bei dem zur Temperaturkompensation die Messbrücke mit einer integrierten Diode verschaltet ist - © CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH

    Projekt

    Analoge, integrierte Temperaturkompensation für Hochtemperatur-Anwendungen

    Es wurden Konzepte zur integrierten Temperaturkompensation mikroelektromechanischer Sensoren mittels passiver Bauelemente entwickelt. Als Demonstrator diente ein Hochtemperatur-Drucksensor auf Basis von monokristallinem Silicon-on-Insulator-Material (SOI).

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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  • Drucksensor auf Trägersubstrat zur simultanen Messung von Differenzdruck und Prozessdruck - © CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH

    Projekt

    Flip-Chip-Montage zum Aufbau von Drucksensoren

    Entwickelt wurde eine Flip-Chip-Montagetechnologie zur langzeitstabilen Aufbau- und Verbindungstechnik für siliziumbasierte Drucksensoren mit elektrischen Durchkontaktierungen. Der neue miniaturisierte medienresistente Differenzdrucksensor besteht aus zwei identischen Absolutdrucksensoren.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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  • Durchflussmesszelle mit Cantilever, passiviert durch ALD-Al2O3 - © CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH

    Projekt

    Langzeitresistente Silicium-Sensorchip-Abdeckungen für Intrakorporale medizinische Anwendungen (PassDru)

    Der direkte Medienkontakt ist für siliziumbasierte Mikrosensoren aufwendig umzusetzen. Um die Miniaturisierung vollständig auszunutzen, wird der Korrosionsschutz auf Chipebene aufgebracht. Damit wird eine Anwendung in anspruchsvolleren Umgebungen auch ohne zusätzliche Schutzkonstruktionen möglich.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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  • Sensorgeometrie im Querschnitt (links); Veranschaulichung der technologischen Lösung (rechts) - © CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH

    Projekt

    Multilayer-Aufbauten für chemisch resistente, langzeitstabile Sensorik

    Harsche Umgebungsbedingen erfordern robuste und stabile Drucksensoren. Mit der Neu- und Weiterentwicklung von Wafer-Level Packaging Technologien werden die Performance gesteigert, Einsatzbereiche erweitert und Herstellkosten gesenkt. Als Demonstrator dient ein Differenzdrucksensor.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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  • Elektronenkonzentration bei T=30 K. Quantenmechanische Simulation einer Diode - © CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH

    Projekt

    Temperaturabhängige Ladungsträgereigenschaften (TELA)

    Gegenstand des Projektes war es, Datensätze über die prinzipiellen Eigenschaften der Ladungsträger zu gewinnen, die verlässliche Simulationen erlauben. Das betrifft vor allem die Ladungsträgerkonzentrationen und –beweglichkeiten.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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  • Wafermap - © CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH

    Projekt

    Integrierte piezoresistive Siliziumkraftsensoren (INKA)

    Eine Technologie für die kompatible Integration von piezoresistivem Siliziumdrucksensor und hochpräzisem CMOS-Verstärker wurde entwickelt. Die neue Lösung bietet eine rauscharme und störungsfreie Signalverarbeitung, dabei werden die Eigenschaften des Kernsensors nicht beeinflusst.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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  • Absolutdrucksensorchips - © CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH

    Projekt

    Rückwirkungsfreier Direktaufbau von MEMS-Sensoren – RUDIS

    Durch die optimale Kombination von Sensorchip und Trägerplatine kann auf zusätzliche Gegenkörper verzichtet werden. Dies vereinfacht die Füge-/Fertigungstechnik und reduziert deren Kosten. Als Basis dienten Drucksensoren unterschiedlichen Designs.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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