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  • Polymerbeschichtete Interdigitalstruktur © IDM e.V.

    Projekt

    Polythiophen-Derivate für die impedimetrische Sensorik

    Interdigitalelektroden mit strukturoptimierten und elektrochemisch abgeschiedenen Polythiophenen als Sensormaterial ermöglichen die Charakterisierung ammoniakhaltiger Gasphasen durch Impedanzspektroskopie bei Raumtemperatur. Das aufwändige Vorheizen des Sensors auf Betriebstemperatur entfällt dabei.

    Forschungseinrichtung: Institut für Dünnschichttechnologie und Mikrosensorik e. V. – IDM
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  • Draufsicht auf den Sensor, Aktor - © CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH

    Projekt

    Multiphysikalischer Sensor für harsche Umweltbedingungen (BAT)

    Es wurde ein elektrostatischer Aktor zur Ultraschallgenerierung, gekoppelt mit einem piezoresistiven Detektor als Basis für verschiede ultraschallbasierte Sensorsysteme entwickelt. Die Art der Herstellung gewährleistet eine sichere Funktion unter harschen Umgebungsbedingungen.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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  • Schematische Zeichnung des Stapelaufbaus: Oben: Chipstapel aus supraleitendem Chip (grün) und Silizium-Trägerchip (grau). Unten: Schnittansicht des Chipstapels. Siliziumträgerchip ermöglicht die Halterung einer optischen Faser - © CiS Forschungsinstitut

    Projekt

    Fiber Chip Package (FCP)

    Durch einen neuartigen Stapelaufbau ist es jetzt möglich, die Justierung eines supraleitenden Chips zu einer optischen Faser bei Raumtemperatur durchzuführen. Die erreichte Positioniergenauigkeit bleibt auch bei tiefen Temperaturen, dem Arbeitsbereich der supraleitenden Detektoren, erhalten.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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  • Lasermikroskop Flächenscan einer Grauwertlackstruktur mit flachen Kanten - © CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH

    Projekt

    Zweiebenenmetallisierung mit hoher Schichtdicke und flachen Kanten (DiDoMet)

    Durch die Strukturierung flacher Kanten konnten Metallbahnen größerer Dicke und damit höherer Leitfähigkeit übereinander geführt werden. Dies ermöglicht Strahlungsdetektoren mit verkippten Leitbahnen.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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  • Vereinzelter TREX-Sensor mit einer Dicke von 70 Mikrometer. Bei dieser Dicke wird das Silizium derart elastisch, dass eine reversible Biegung möglich ist. © CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH

    Projekt

    Doppelseitige, großflächig gedünnte Strahlungsdetektoren (DLAT)

    Durch die Kombination aus nasschemischen Kavitäten-Ätzens und nicht-planarer Fotolithographie wurden doppelseitige, großflächig gedünnte Strahlungsdetektoren (DLAT) entwickelt.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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  • REM Aufnahmen der tiefengeätzten Säulen (Detail: Säulenboden). Die Säulen sind mit Oxid (hier: weiß) passiviert und mit Polysilizium gefüllt. - © CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH

    Projekt

    Strahlenharte und kompakte Sensoren für hochenergetische Strahlung (Trident)

    3D-Detektoren bedingen aufgrund kleiner Driftwege der durch Strahlung generierten Ladungsträger hervorragende Eigenschaften hinsichtlich der Strahlenhärte und Ansprechzeiten. In diesem Projekt wurden die für die Herstellung solcher 3D-Detektoren notwendigen Prozessschritte entwickelt.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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  • Sensorgeometrie im Querschnitt (links); Veranschaulichung der technologischen Lösung (rechts) - © CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH

    Projekt

    Multilayer-Aufbauten für chemisch resistente, langzeitstabile Sensorik

    Harsche Umgebungsbedingen erfordern robuste und stabile Drucksensoren. Mit der Neu- und Weiterentwicklung von Wafer-Level Packaging Technologien werden die Performance gesteigert, Einsatzbereiche erweitert und Herstellkosten gesenkt. Als Demonstrator dient ein Differenzdrucksensor.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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  • Elektronenkonzentration bei T=30 K. Quantenmechanische Simulation einer Diode - © CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH

    Projekt

    Temperaturabhängige Ladungsträgereigenschaften (TELA)

    Gegenstand des Projektes war es, Datensätze über die prinzipiellen Eigenschaften der Ladungsträger zu gewinnen, die verlässliche Simulationen erlauben. Das betrifft vor allem die Ladungsträgerkonzentrationen und –beweglichkeiten.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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  • © CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH

    Projekt

    Tastsystem mit stark reduzierter Antastkraft (TARZAN)

    Ein miniaturisiertes Sensorsystem enthält zwei unabhängig arbeitende Kraft- und Wegsensoren und dient der Bestimmung der instrumentierenden Eindringhärte. Das Abbesche Komparatorprinzip bleibt gewahrt, ebenso die Konformität zu einschlägigen Industrienormen.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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  • REM Aufnahme der Membranstruktur einzelner Chips im Waferverbund - © CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH

    Projekt

    Miniaturisierter InfraRot-Emitter-Chip (MIREC)

    Mit einen plasmaunterstütztem Ätz-Prozess werden gleichzeitig eine dünne funktionale Membran und ein Bruchgraben für die folgende Chipvereinzelung erzeugt. Bei MEMS-IR-Emittern erhält man damit gegenüber dem Stand der Technik mehr als Faktor 4 kleinere Flächen und eine um Faktor 2 höhere Dynamik.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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