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  • Sensorgeometrie im Querschnitt (links); Veranschaulichung der technologischen Lösung (rechts) - © CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH

    Projekt

    Multilayer-Aufbauten für chemisch resistente, langzeitstabile Sensorik

    Harsche Umgebungsbedingen erfordern robuste und stabile Drucksensoren. Mit der Neu- und Weiterentwicklung von Wafer-Level Packaging Technologien werden die Performance gesteigert, Einsatzbereiche erweitert und Herstellkosten gesenkt. Als Demonstrator dient ein Differenzdrucksensor.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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  • © CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH

    Projekt

    Tastsystem mit stark reduzierter Antastkraft (TARZAN)

    Ein miniaturisiertes Sensorsystem enthält zwei unabhängig arbeitende Kraft- und Wegsensoren und dient der Bestimmung der instrumentierenden Eindringhärte. Das Abbesche Komparatorprinzip bleibt gewahrt, ebenso die Konformität zu einschlägigen Industrienormen.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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  • REM Aufnahme der Membranstruktur einzelner Chips im Waferverbund - © CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH

    Projekt

    Miniaturisierter InfraRot-Emitter-Chip (MIREC)

    Mit einen plasmaunterstütztem Ätz-Prozess werden gleichzeitig eine dünne funktionale Membran und ein Bruchgraben für die folgende Chipvereinzelung erzeugt. Bei MEMS-IR-Emittern erhält man damit gegenüber dem Stand der Technik mehr als Faktor 4 kleinere Flächen und eine um Faktor 2 höhere Dynamik.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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  • Quanteneffizienz als Funktion der Wellenlänge für ein im Projekt entwickelten UV Detektor. Diode 1 ist im sichtbaren Bereich des Spektrums nicht empfindlich.

    Projekt

    Gesteuerte Defektdynamik in Silizium zur verbesserten UV-Stabilität (GeDeSi)

    Ziel ist die Entwicklung eines Degradationsmodells zur Beschreibung der Degradationsdynamik von Silizium-basierten UV Detektoren unter UV Bestrahlung. Zusätzlich sollen auf Basis der Experimente design rules zur Herstellung degradationsstabiler Silizium-basierter UV-Detektoren aufgestellt werden.

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  • Vermessung der Höhenuniformität mittels Lasermikroskopie - © CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH

    Projekt

    Innovative Chip-to-Chip Interconnections für high-end Systemanforderungen (I2CON)

    Um die Granularität von großflächigen hybriden Pixel-detektoren erhöhen zu können, wurden neue Techniken für platzsparende vielkanalige Chip-zu-Chip-Verbindungen entwickelt. Dünne Detektoren und ASICs wurden basierend auf Cu-Pillars mit Palladiumkappen miteinander verbunden.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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  • Demonstratormodul bestehend aus einem FE-I4 Auslesechip und einem Glaschip zur Veranschaulichung der im Projekt realisierten Verbindungstechnik

    Projekt

    Technological Sensor Optimisation of Radiation Detectors (TENSOR)

    Bias-Grids sind für den elektrischen Test von Pixeldetektoren notwendig. Besonders die Metall-Kontakte beeinträchtigen die Performance. Alternative Grid-Lösungen und Technologien wurden entwickelt und erprobt. Die Empfindlichkeit wurde verbessert, andere Parameter erfüllen die Zielspezifikationen.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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  • Mittels Glasfrit-Bonden gefügter Si-DMS (0,5 x 0,5 mm2) auf Edelstahlmembran - © CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH

    Projekt

    Miniaturisierte, siliziumbasierte Dehnungsmesssensoren (Si-DMS)

    Die dauerhafte und kraftübertragungsoptimierte Montage von siliziumbasierten Dehnungsmesssensoren auf dem Messkörper ist erfolgskritisch für den erfolgreichen Einsatz. Unterschiedliche thermische Ausdehnungskoeffizienten sowie die Langzeitstabilität stellen hierbei besondere Herausforderungen dar.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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  • Vorderseite eines fertig prozessierten 4“-Pixel-Sensorwafers, welcher mittels nasschemischen Kavitäten-Ätzens auf der Rückseite partiell abgedünnt wurde - © CiS Forschungsinstitut

    Projekt

    Großflächig gedünnte Strahlungsdetektoren (LAT)

    Durch das Abdünnen des Chipbereiches während der Waferfertigung wurde die Möglichkeit geschaffen, von bis zu 100 Quadratzentimeter großen Strahlungsdetektoren auf Enddicken zwischen 50 und 200 µm abzudünnen. Dieses Vorgehen ist flexibler und kostengünstiger als die Nutzung von Handling-Wafern.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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  • Bespiel für thermisch induzierte mechanische Spannung im Drucksensorchip infolge unterschiedlicher therm. Ausdehnungskoeffizienten von Drucksensorchip aus Silizium und Grundplatte aus Stahl mit TO-Sockel - © CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH

    Projekt

    Drucksensorchip mit hoher Langzeitstabilität (DumBo)

    Bei hochpräzisen Drucksensoren ist die Langzeitstabilität entscheidend. Sie wird durch die Montage des Drucksensorchips in das Gehäuse und die Änderungen der Montagespannungen beeinflusst. Untersucht wurden Lösungen, die ein Durchgreifen dieser Spannungen auf den Sensor verhindern oder kompensieren.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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  • Foto eines Wafers mit in diesem Forschungsvorhaben gefertigten n-in-p Pad Detektoren - © CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH

    Projekt

    Defektengineeringprozesse in p-Typ Silizium (DeSiD)

    Durch geeignete Prozessmodifikationen bei der Prozessierung von Strahlungsdetektorwafern wie Sauerstoffanreicherung, wurde die Strahlenresistenz von Detektoren für ionisierende Strahlung wesentlich erhöht. Die Wirksamkeit wurde an n-in-p Silizium-Testdetektoren durch Bestrahlungstests nachgewiesen.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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