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  • Fotografie eines Chips in einem Testaufbau © CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH

    Projekt

    Integrierte Reflektoren für MEMS IR-Strahler (IReMIS)

    Durch eine neuartige Wafermontagelösung wurden MEMS IR Strahler entwickelt, in deren miniaturisiertes Chip Gehäuse ein Reflektor und eine Abdeckkappe integriert wurden. Dadurch sind die Chips hermetisch dicht und weisen eine verbesserte Strahldichte im Spektralbereich über sieben Mikrometer auf.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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  • Feder Masse Schwinger aus Silizium © CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik

    Projekt

    MEMS-Gravimeter (M-Gravi)

    Im Projekt wurden die Grundlagen zur Fertigung langzeitstabiler und kosteneffizienter MEMS-Gravimeter entwickelt. Die Sensoren sollen Orts und zeitaufgelöste Änderungen der Gravitation in mobilen Anwendungen erfassen können etwa zur präzisen Erkundung geologischer Gegebenheiten der Erdoberfläche.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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  • Im Silizium erzeugte Kavität mit resultierender Membran - © CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH

    Projekt

    Micro-Structure Transformation of Silicon (MSTS)

    Ziel war es, für Basistechnologien zur Migration von sub-Mikrometer Si-Strukturen zunächst Einzelprozesse und darauf aufbauend Prozessmodule zu entwickeln. Als Demonstratoren wurden Strukturverrundungen, lokale SOI-Bereiche sowie absolut messende piezoresistive Drucksensoren angestrebt.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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  • gemessene Druck-Temperaturkennlinie an einer polykristallinen Silizium Widerstandsstruktur auf einer Testmembran @ CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH

    Projekt

    Miniaturisierter Drucksensor für einen Druckbereich kleiner 10 mbar

    Die Entwicklung eines extrem kleinen Drucksensors für den Messbereich kleiner zehn Millibar erfordert neue technologische Prinzipien in der Membranentwicklung. Um die marktüblichen Spezifikationen zur Empfindlichkeit einzuhalten, wurden Siliziumoxid und Siliziumnitrid-Membranen untersucht.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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  • Bild vom Demonstrator: ELISE-02-Modul. Als eine neue Applikation der Strahler Empfänger Baugruppe mit hermetischem Wafer Level Packaging - © CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH

    Projekt

    Planarisiertes Wafer Level Packaging für Mikrosensoren (PlanWLP)

    Wafer-Level-Bondverfahren erfordern extrem plane und saubere Grenzflächen. Durch übliche Halbleiterprozesse werden die Grenzflächen aber gestört. Das Projekt verfolgt dafür technologiekompatible Planarisierungsverfahren, die auch für solche Sensoren ein hermetisches Wafer-Level-Package ermöglichen.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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  • Infrarot Kamerabild einer gedruckten Infrarot Strahler Teststruktur © CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH

    Projekt

    Evaluierung druckbarer Materialsysteme für IR-Strahler (DruMa4IR)

    Das Projekt zielt auf die Entwicklung kostengünstiger Prozesse und druckfähiger Materialsysteme für die Herstellung thermischer Infrarotemitter ab, die insbesondere als Lichtquelle für optische Gassensoren Verwendung finden.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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  • Teststrukturen PIEZO für die Messung der Piezokoeffizienten - © CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH

    Projekt

    Berechnung und Verifikation von Piezokoeffizienten im Drucksensor-Design-Flow (Piezo)

    Die Kennlinienberechnung piezoresistiver Widerstandsbrücken differiert oftmals mit den an den realisierten Bauelementen gemessenen Kennlinien. Mittels lokaler quantenmechanischer Bestimmung der Piezo-Konstanten wurde diese Fehlerursache bewertet und eliminiert.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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  • Foto eines Demonstators mit Diamant Silizium Tandemdetektor © CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH

    Projekt

    UV-Visible Light-Hybridsensor aus Diamant und Silizium (UVPD)

    Es wurde eine Sandwich Anordnung, bestehend aus einem Detektor für hartes UV- Licht und einem davon unabhängigen Sensor für sichtbares Licht, entwickelt. Mittels neuartigem Verfahren wurde ein Hybridaufbau basierend auf einem polykristallinen Diamantdetektor über einer Silizium Fotodiode realisiert.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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  • Richtungssensitiver Quadrantendetektor ein Millimeter auf Protection Circuit Board - © CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH

    Projekt

    Richtungssensitiver Quadrantendetektor

    Ein winziger und einfach integrierbarer Mikrochip bestimmt die Lichteinfallsrichtung auf wenige Grad genau. Der monolithische Sensor basiert auf vier integrierten Fotodioden in einem 3D-strukturierten Siliziumsubstrat. Die neuentwickelte MEMS-Technologie erlaubt eine kostengünstige Fertigung.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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  • Fertig prozessierter Wafer mit Elektronendetektoren - © CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH

    Projekt

    Prozessentwicklung zur Herstellung von hochempfindlichen UV- und Elektronendetektoren

    Durch die Entwicklung von Detektoren mit flacher aktiver Zone lassen sich UV-Photonen und niederenergetische Elektronen mit hoher Quanteneffizienz detektieren. Dies ist für eine oberflächensensitive Messung im Rasterelektronenmikroskop unerlässlich.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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