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  • ©CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH

    Projekt

    Entwicklung eines hochgenauen, formschluss-unterstützten Flip-Chip-Thermokompressionsverfahrens (SmartBond)

    Mittels Thermokompressionsbonden mit chemisch-galvanisch abgeschiedenen Pillarstrukturen und deren hochgenaue Positionierung durch sogenannte Self-Alignment soll die Montage sowie kraftschlüssige und elektrisch leitende Fügeverbindung von Photodioden zu hybriden Detektormodulen optimiert werden.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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  • Hermetisch dichter Bondrahmen fürs Wafer-Level-Packaging von Drucksensoren für harsche Medien - © CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH

    Projekt

    High Performance Wafer-Level Packaging für Industriesensorik

    Durch die Entwicklung eines Chemisch-mechanischen Polierprozesses konnte die Fügung von hermetisch-dichten Sensoraufbauten auf Wafer-Level realisiert werden.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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  • Der Demonstrator, bestehend aus einem Gehäuse, einem Filterhalter und zweier Linsenhalter, wurde über ein 3d-Druckverfahren aus Aluminium gefertigt. Die gesamte Detektoreinheit ist 40x40x15 mm³ groß - © CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH

    Projekt

    Diamant für Elektronendetektion (DiaED)

    Im Fokus des Projekts steht die Entwicklung einer mikrooptischen Baugruppe, welche der Hanbury Brown-Twiss-Konfiguration entspricht. Darauf aufbauend wird ein neuartiges Elektronendetektor-Konzept auf Basis optisch aktiver NV-Zentren (Stickstoff-Fehlstellen) in Diamanten erprobt.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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  • FEM-Simulationen an Verformungskörpern mit aufgebrachtem geschlitzten Montageträgern (lasergeschweißt bzw. spaltgeschweißt) – © CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH

    Projekt

    Langzeitstabile Mikro-Makro-Kopplung zum Aufbau ultraflacher Siliziumdehnungssensoren für makroskopische Prüfkörper (MIKADO)

    Im Projekt wurde eine langzeitstabile Mikro-Makro-Kopplung zum Aufbau ultraflacher Si-DMS für makroskopische Kraftsensoren entwickelt. Die Basis bildet ein Montageträger, welcher die Sensoren aufnimmt, die elektrische Verbindung bereitstellt und die zu messenden mechanischen Spannungen aufbereitet.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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  • Rasterelektronenmikroskopische Aufnahme der Hillockbildung nach Elektromigration an einer Teststruktur - © CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH

    Projekt

    Elektromigrationsverringerung von Infrarotemittern (EMIR)

    Es wurden Prozesstechnologien wie Temperung, elektrische Kontaktierung und Infrarotemitter entwickelt, die eine Verringerung der Elektromigration von Infrarotemittern und somit eine höhere Lebensdauer der Bauteile zur Folge haben.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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  • Isoenergiefläche für das heavy hole Band. Ein kompressiver Stress von 2GPa wurde angewendet - © CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH

    Projekt

    Quanteneffekte in MEMS-Sensoren

    Auf der Grundlage quantenmechanischer Berechnungen werden die Piezokoeffizienten des Siliziums über einen weiten Stressbereich und in Abhängigkeit von der Temperatur und Dotierung bestimmt. Dadurch können die Kennlinien von MEMS-Bauelemente beispielsweise Drucksensoren genauer berechnet werden.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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  • Gebondete Probe Transistor OutlineSockel mit Silizium-Chip und Gold-Bondpad

    Projekt

    Aufbau und Verbindungstechnik für Hochtemperatursensorik

    Mikrosensoren und Mikrosysteme werden zunehmend prozessnah in Umgebungen mit hohen Temperaturen eingesetzt. Im Projekt sollten Lösungen der Aufbau- und Verbindungstechnik für die Mikrosensorik mit Einsatztemperaturbereichen bis 350 Grad Celsius geschaffen werden.

    Forschungseinrichtung: Günter-Köhler-Institut für Fügetechnik und Werkstoffprüfung GmbH – ifw Jena
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  • Feder Masse Schwinger aus Silizium © CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik

    Projekt

    MEMS-Gravimeter (M-Gravi)

    Im Projekt wurden die Grundlagen zur Fertigung langzeitstabiler und kosteneffizienter MEMS-Gravimeter entwickelt. Die Sensoren sollen Orts und zeitaufgelöste Änderungen der Gravitation in mobilen Anwendungen erfassen können etwa zur präzisen Erkundung geologischer Gegebenheiten der Erdoberfläche.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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  • Richtungssensitiver Quadrantendetektor ein Millimeter auf Protection Circuit Board - © CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH

    Projekt

    Richtungssensitiver Quadrantendetektor

    Ein winziger und einfach integrierbarer Mikrochip bestimmt die Lichteinfallsrichtung auf wenige Grad genau. Der monolithische Sensor basiert auf vier integrierten Fotodioden in einem 3D-strukturierten Siliziumsubstrat. Die neuentwickelte MEMS-Technologie erlaubt eine kostengünstige Fertigung.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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  • Bild vom Demonstrator: ELISE-02-Modul. Als eine neue Applikation der Strahler Empfänger Baugruppe mit hermetischem Wafer Level Packaging - © CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH

    Projekt

    Planarisiertes Wafer Level Packaging für Mikrosensoren (PlanWLP)

    Wafer-Level-Bondverfahren erfordern extrem plane und saubere Grenzflächen. Durch übliche Halbleiterprozesse werden die Grenzflächen aber gestört. Das Projekt verfolgt dafür technologiekompatible Planarisierungsverfahren, die auch für solche Sensoren ein hermetisches Wafer-Level-Package ermöglichen.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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