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  • Si-Wafer mit Membranstrukturen, lokal gewachsene synthetische Diamantschichten. Selektives Wachstum über Liftoff der Seeding-Schicht. Weitere Strukturierung der Diamantschicht nicht notwendig - © CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH

    Projekt

    Gezieltes Wachstum synthetischer Diamant-Schichten für Drucksensoren (GeWaDiS)

    Drucksensoren mit einer Passivierung aus synthetischem Diamant sind besonders medienresistent. Eine kostengünstige Herstellung der Diamantschichten in relevanten Sensorbereichen wurde mittels Adaption von Technologien der Mikrosystemtechnik zuverlässig erprobt.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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  • Ein vernetzter Elektrolytfilm.

    Projekt

    Festelektrolyte und deren Applikation im Rolle-zu-Rolle-Verfahren

    In dem Projekt gelang die Entwicklung eines festen Polymerelektrolyts für „Smart Windows“, elektrochrome (EC) Displays, EC-Transistoren sowie Lithium-Batterien mit Blick auf die Rolle-zu-Rolle-Technologie.

    Forschungseinrichtung: Thüringisches Institut für Textil- und Kunststoff-Forschung e. V. – TITK
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  • Elektronikkomponenten (links) und Prototyp Präzisions-Feinbohrwerkzeug (rechts)

    Projekt

    Neuartiges Präzisions-Feinbohrwerkzeug für den Submikrometer-Bereich

    Eine fein justierbare Präzisionsmechanik und ein absolutes Wegmesssystem ermöglichen die präzise, prozesssichere und schnelle Einstellung der radialen Schneidenposition eines Feinbohrwerkzeugs im Submikrometerbereich. Eine digitale Anzeige verbessert die Handhabung und vermeidet Einstellfehler.

    Forschungseinrichtung: Gesellschaft für Fertigungstechnik und Entwicklung Schmalkalden e. V. – GFE
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  • Wafermap - © CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH

    Projekt

    Integrierte piezoresistive Siliziumkraftsensoren (INKA)

    Eine Technologie für die kompatible Integration von piezoresistivem Siliziumdrucksensor und hochpräzisem CMOS-Verstärker wurde entwickelt. Die neue Lösung bietet eine rauscharme und störungsfreie Signalverarbeitung, dabei werden die Eigenschaften des Kernsensors nicht beeinflusst.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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  • Das neuentwickelte Messelement zur Bestimmung des Druckbildes zu einer Bezugskante

    Projekt

    Sondermesselement für die Positionsbestimmung des Druckbildes

    Durch die Neuentwicklung der Messelemente konnte die Anwendung des Passermesssystems LUCHS-auf weitere Druckverfahren ausgeweitet werden. Damit sind auch dort Messgenauigkeiten von bis zu 10 µm möglich.

    Forschungseinrichtung: Sächsisches Institut für die Druckindustrie GmbH – SID
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  • Demonstratormodul bestehend aus einem FE-I4 Auslesechip und einem Glaschip zur Veranschaulichung der im Projekt realisierten Verbindungstechnik

    Projekt

    Technological Sensor Optimisation of Radiation Detectors (TENSOR)

    Bias-Grids sind für den elektrischen Test von Pixeldetektoren notwendig. Besonders die Metall-Kontakte beeinträchtigen die Performance. Alternative Grid-Lösungen und Technologien wurden entwickelt und erprobt. Die Empfindlichkeit wurde verbessert, andere Parameter erfüllen die Zielspezifikationen.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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  • Demonstrator des MereDiD-Differenzdrucksensors - © CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH

    Projekt

    Medienresistenter Differenzdrucksensor - MeReDiD

    Primärziel des Projektes war die Entwicklung kostengünstiger Differenzdrucksensoren mit hoher Präzision, Stabilität und Zuverlässigkeit für den Einsatz in aggressiven und korrosiven Medien, beispielsweise in Abgasen von Verbrennungsmotoren oder in Hydraulikölen.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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  • Schliffpräparation einer Teststruktur zur Veranschaulichung des ARDE-Effekts. Breite Gräben werden bei gleicher Ätzzeit tiefer als schmale Gräben geätzt - © CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH

    Projekt

    Multifotodiode für hohe Auflösungen und Temperaturen (MuFoDi)

    Die Technologie des reaktiven Ionenätzens wurde in den Prozessablauf zur Herstellung von Fotodioden integriert. Damit lassen sich dreidimensionale Ätzstrukturen bis auf wenige Mikrometer an optisch aktive Strukturen heranbringen.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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  • Auf Siliziumgegenkörper aufgebrachter Bolometerchip - © CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH

    Projekt

    Wärmestrahlungssensor – Sensor for Heat Radiation (SHeRa)

    Zur Herstellung empfindlicher Infrarot-Strahlungsdetektoren wurde ein neues Konzept zur thermischen Isolation und mechanischen Stabilität in einem Silizium-Waferprozess umgesetzt. Diese Sensoren besitzen eine hohe optische Empfindlichkeit und können in rauhen Industrieumgebungen eingesetzt werden.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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  • DRIE strukturierter, für eine geringe Lageabhängigkeit gewichtsgesenkter Centerboss für den Überlastanschlag bei vorderseitiger Belastung - © CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH

    Projekt

    Überlastfeste Differenzdrucksensoren (ÜlaDru)

    Ziel war die Entwicklung von serienfertigungstauglichen Mikrosystemen mit piezoresistiven Sensorelementen zur Messung geringer Differenzdrücke mit extrem hoher Überlastfestigkeit. Komplexität und Herstellungskosten von Hochleistungsdrucksensoren sinken mit diesen Entwicklungen deutlich.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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