Projekt

Hochflexible dehnungsmessende Sensorfaser

Im geplanten Vorhaben stand die Entwicklung hochflexibler Polymerfasern, welche einerseits dauerhaft mechanischen Belastungen bis zu einer Dehnung von e = 100 Prozent ausgesetzt werden können und mit denen man andererseits in der Lage ist, die dabei vonstattengehende Dehnung piezoresistiv zu messen.

Projekt

Quanteneffekte in MEMS-Sensoren

Auf der Grundlage quantenmechanischer Berechnungen werden die Piezokoeffizienten des Siliziums über einen weiten Stressbereich und in Abhängigkeit von der Temperatur und Dotierung bestimmt. Dadurch können die Kennlinien von MEMS-Bauelemente beispielsweise Drucksensoren genauer berechnet werden.

Projekt

Aufbau und Verbindungstechnik für Hochtemperatursensorik

Mikrosensoren und Mikrosysteme werden zunehmend prozessnah in Umgebungen mit hohen Temperaturen eingesetzt. Im Projekt sollten Lösungen der Aufbau- und Verbindungstechnik für die Mikrosensorik mit Einsatztemperaturbereichen bis 350 Grad Celsius geschaffen werden.

Projekt

Integrierte Reflektoren für MEMS IR-Strahler (IReMIS)

Durch eine neuartige Wafermontagelösung wurden MEMS IR Strahler entwickelt, in deren miniaturisiertes Chip Gehäuse ein Reflektor und eine Abdeckkappe integriert wurden. Dadurch sind die Chips hermetisch dicht und weisen eine verbesserte Strahldichte im Spektralbereich über sieben Mikrometer auf.

Projekt

MEMS-Gravimeter (M-Gravi)

Im Projekt wurden die Grundlagen zur Fertigung langzeitstabiler und kosteneffizienter MEMS-Gravimeter entwickelt. Die Sensoren sollen Orts und zeitaufgelöste Änderungen der Gravitation in mobilen Anwendungen erfassen können etwa zur präzisen Erkundung geologischer Gegebenheiten der Erdoberfläche.

Projekt

Planarisiertes Wafer Level Packaging für Mikrosensoren (PlanWLP)

Wafer-Level-Bondverfahren erfordern extrem plane und saubere Grenzflächen. Durch übliche Halbleiterprozesse werden die Grenzflächen aber gestört. Das Projekt verfolgt dafür technologiekompatible Planarisierungsverfahren, die auch für solche Sensoren ein hermetisches Wafer-Level-Package ermöglichen.

Projekt

Micro-Structure Transformation of Silicon (MSTS)

Ziel war es, für Basistechnologien zur Migration von sub-Mikrometer Si-Strukturen zunächst Einzelprozesse und darauf aufbauend Prozessmodule zu entwickeln. Als Demonstratoren wurden Strukturverrundungen, lokale SOI-Bereiche sowie absolut messende piezoresistive Drucksensoren angestrebt.

Projekt

Berechnung und Verifikation von Piezokoeffizienten im Drucksensor-Design-Flow (Piezo)

Die Kennlinienberechnung piezoresistiver Widerstandsbrücken differiert oftmals mit den an den realisierten Bauelementen gemessenen Kennlinien. Mittels lokaler quantenmechanischer Bestimmung der Piezo-Konstanten wurde diese Fehlerursache bewertet und eliminiert.

Projekt

Evaluierung druckbarer Materialsysteme für IR-Strahler (DruMa4IR)

Das Projekt zielt auf die Entwicklung kostengünstiger Prozesse und druckfähiger Materialsysteme für die Herstellung thermischer Infrarotemitter ab, die insbesondere als Lichtquelle für optische Gassensoren Verwendung finden.

Projekt

Black Silicon

Nanostrukturiertes Silizium weist je nach Strukturgröße und Form signifikant andere optische und elektrische Eigenschaften im Vergleich zum Volumenkristall auf. Es wurden sogenannte Black-Silicon-Strukturen entwickelt, die für neuartige Detektoren im UV- und IR-Bereich zum Einsatz kommen sollen.