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  • Bild_1: „Dehnungsmessender Sensor als Endlosfaser auf Spule“ Quelle: TITK e.V.

    Projekt

    Hochflexible dehnungsmessende Sensorfaser

    Im geplanten Vorhaben stand die Entwicklung hochflexibler Polymerfasern, welche einerseits dauerhaft mechanischen Belastungen bis zu einer Dehnung von e = 100 Prozent ausgesetzt werden können und mit denen man andererseits in der Lage ist, die dabei vonstattengehende Dehnung piezoresistiv zu messen.

    Forschungseinrichtung: Thüringisches Institut für Textil- und Kunststoff-Forschung e. V. – TITK
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  • Isoenergiefläche für das heavy hole Band. Ein kompressiver Stress von 2GPa wurde angewendet - © CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH

    Projekt

    Quanteneffekte in MEMS-Sensoren

    Auf der Grundlage quantenmechanischer Berechnungen werden die Piezokoeffizienten des Siliziums über einen weiten Stressbereich und in Abhängigkeit von der Temperatur und Dotierung bestimmt. Dadurch können die Kennlinien von MEMS-Bauelemente beispielsweise Drucksensoren genauer berechnet werden.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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  • Gebondete Probe Transistor OutlineSockel mit Silizium-Chip und Gold-Bondpad

    Projekt

    Aufbau und Verbindungstechnik für Hochtemperatursensorik

    Mikrosensoren und Mikrosysteme werden zunehmend prozessnah in Umgebungen mit hohen Temperaturen eingesetzt. Im Projekt sollten Lösungen der Aufbau- und Verbindungstechnik für die Mikrosensorik mit Einsatztemperaturbereichen bis 350 Grad Celsius geschaffen werden.

    Forschungseinrichtung: Günter-Köhler-Institut für Fügetechnik und Werkstoffprüfung GmbH – ifw Jena
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  • Fotografie eines Chips in einem Testaufbau © CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH

    Projekt

    Integrierte Reflektoren für MEMS IR-Strahler (IReMIS)

    Durch eine neuartige Wafermontagelösung wurden MEMS IR Strahler entwickelt, in deren miniaturisiertes Chip Gehäuse ein Reflektor und eine Abdeckkappe integriert wurden. Dadurch sind die Chips hermetisch dicht und weisen eine verbesserte Strahldichte im Spektralbereich über sieben Mikrometer auf.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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  • Feder Masse Schwinger aus Silizium © CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik

    Projekt

    MEMS-Gravimeter (M-Gravi)

    Im Projekt wurden die Grundlagen zur Fertigung langzeitstabiler und kosteneffizienter MEMS-Gravimeter entwickelt. Die Sensoren sollen Orts und zeitaufgelöste Änderungen der Gravitation in mobilen Anwendungen erfassen können etwa zur präzisen Erkundung geologischer Gegebenheiten der Erdoberfläche.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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  • Bild vom Demonstrator: ELISE-02-Modul. Als eine neue Applikation der Strahler Empfänger Baugruppe mit hermetischem Wafer Level Packaging - © CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH

    Projekt

    Planarisiertes Wafer Level Packaging für Mikrosensoren (PlanWLP)

    Wafer-Level-Bondverfahren erfordern extrem plane und saubere Grenzflächen. Durch übliche Halbleiterprozesse werden die Grenzflächen aber gestört. Das Projekt verfolgt dafür technologiekompatible Planarisierungsverfahren, die auch für solche Sensoren ein hermetisches Wafer-Level-Package ermöglichen.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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  • Im Silizium erzeugte Kavität mit resultierender Membran - © CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH

    Projekt

    Micro-Structure Transformation of Silicon (MSTS)

    Ziel war es, für Basistechnologien zur Migration von sub-Mikrometer Si-Strukturen zunächst Einzelprozesse und darauf aufbauend Prozessmodule zu entwickeln. Als Demonstratoren wurden Strukturverrundungen, lokale SOI-Bereiche sowie absolut messende piezoresistive Drucksensoren angestrebt.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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  • Teststrukturen PIEZO für die Messung der Piezokoeffizienten - © CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH

    Projekt

    Berechnung und Verifikation von Piezokoeffizienten im Drucksensor-Design-Flow (Piezo)

    Die Kennlinienberechnung piezoresistiver Widerstandsbrücken differiert oftmals mit den an den realisierten Bauelementen gemessenen Kennlinien. Mittels lokaler quantenmechanischer Bestimmung der Piezo-Konstanten wurde diese Fehlerursache bewertet und eliminiert.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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  • Infrarot Kamerabild einer gedruckten Infrarot Strahler Teststruktur © CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH

    Projekt

    Evaluierung druckbarer Materialsysteme für IR-Strahler (DruMa4IR)

    Das Projekt zielt auf die Entwicklung kostengünstiger Prozesse und druckfähiger Materialsysteme für die Herstellung thermischer Infrarotemitter ab, die insbesondere als Lichtquelle für optische Gassensoren Verwendung finden.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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  • Links: REM Profilübersicht von geätzten Nadeln auf der Silicium-Oberfläche. Rechts unten: Diodenstruktur. Rechts oben: Aufgebauter Fotodiodenchip mit Black Silicon - © CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH

    Projekt

    Black Silicon

    Nanostrukturiertes Silizium weist je nach Strukturgröße und Form signifikant andere optische und elektrische Eigenschaften im Vergleich zum Volumenkristall auf. Es wurden sogenannte Black-Silicon-Strukturen entwickelt, die für neuartige Detektoren im UV- und IR-Bereich zum Einsatz kommen sollen.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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