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  • Ein auf einer Leiterkarte aufgebauter und über Bonddrähte kontaktierter Strahlungssensor mit geringer Totzone - © CiS Forschungsinstitut

    Projekt

    Si-Detektoren mit flachem Eintrittsfenster

    Das Ziel, hohe Empfindlichkeiten und hohe Energieauflösungen bei Halbleiter-Strahlungssensoren zu erreichen, wurde durch die Anwendung innovativer Dotiertechniken und angepasster Aktivierungsschritte erreicht.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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  • Der Demonstrator, bestehend aus einem Gehäuse, einem Filterhalter und zweier Linsenhalter, wurde über ein 3d-Druckverfahren aus Aluminium gefertigt. Die gesamte Detektoreinheit ist 40x40x15 mm³ groß - © CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH

    Projekt

    Diamant für Elektronendetektion (DiaED)

    Im Fokus des Projekts steht die Entwicklung einer mikrooptischen Baugruppe, welche der Hanbury Brown-Twiss-Konfiguration entspricht. Darauf aufbauend wird ein neuartiges Elektronendetektor-Konzept auf Basis optisch aktiver NV-Zentren (Stickstoff-Fehlstellen) in Diamanten erprobt.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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  • Richtungssensitiver Quadrantendetektor ein Millimeter auf Protection Circuit Board - © CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH

    Projekt

    Richtungssensitiver Quadrantendetektor

    Ein winziger und einfach integrierbarer Mikrochip bestimmt die Lichteinfallsrichtung auf wenige Grad genau. Der monolithische Sensor basiert auf vier integrierten Fotodioden in einem 3D-strukturierten Siliziumsubstrat. Die neuentwickelte MEMS-Technologie erlaubt eine kostengünstige Fertigung.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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  • REM Aufnahmen der tiefengeätzten Säulen (Detail: Säulenboden). Die Säulen sind mit Oxid (hier: weiß) passiviert und mit Polysilizium gefüllt. - © CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH

    Projekt

    Strahlenharte und kompakte Sensoren für hochenergetische Strahlung (Trident)

    3D-Detektoren bedingen aufgrund kleiner Driftwege der durch Strahlung generierten Ladungsträger hervorragende Eigenschaften hinsichtlich der Strahlenhärte und Ansprechzeiten. In diesem Projekt wurden die für die Herstellung solcher 3D-Detektoren notwendigen Prozessschritte entwickelt.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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  • Assembly des Sensorchips in einem dafür entworfenen Gehäuse - © CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH

    Projekt

    EUV-Bestrahlungsstärke über diamantbeschichtete Temperatursensoren (DiaTemp)

    Kostengünstiger und mit CMOS/MEMS-kompatiblen Prozessen herstellbarer thermischer Detektor aus Silizium und Diamant zum Nachweis von EUV-Strahlung mit sehr hoher Leistung über 100 W bis zum KW-Bereich.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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  • Demonstratormodul bestehend aus einem FE-I4 Auslesechip und einem Glaschip zur Veranschaulichung der im Projekt realisierten Verbindungstechnik

    Projekt

    Technological Sensor Optimisation of Radiation Detectors (TENSOR)

    Bias-Grids sind für den elektrischen Test von Pixeldetektoren notwendig. Besonders die Metall-Kontakte beeinträchtigen die Performance. Alternative Grid-Lösungen und Technologien wurden entwickelt und erprobt. Die Empfindlichkeit wurde verbessert, andere Parameter erfüllen die Zielspezifikationen.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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  • Vorderseite eines fertig prozessierten 4“-Pixel-Sensorwafers, welcher mittels nasschemischen Kavitäten-Ätzens auf der Rückseite partiell abgedünnt wurde - © CiS Forschungsinstitut

    Projekt

    Großflächig gedünnte Strahlungsdetektoren (LAT)

    Durch das Abdünnen des Chipbereiches während der Waferfertigung wurde die Möglichkeit geschaffen, von bis zu 100 Quadratzentimeter großen Strahlungsdetektoren auf Enddicken zwischen 50 und 200 µm abzudünnen. Dieses Vorgehen ist flexibler und kostengünstiger als die Nutzung von Handling-Wafern.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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  • Auf Siliziumgegenkörper aufgebrachter Bolometerchip - © CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH

    Projekt

    Wärmestrahlungssensor – Sensor for Heat Radiation (SHeRa)

    Zur Herstellung empfindlicher Infrarot-Strahlungsdetektoren wurde ein neues Konzept zur thermischen Isolation und mechanischen Stabilität in einem Silizium-Waferprozess umgesetzt. Diese Sensoren besitzen eine hohe optische Empfindlichkeit und können in rauhen Industrieumgebungen eingesetzt werden.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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  • Chip mit Star-Flex-Band und Stecker für die Bestrahlung - © CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH

    Projekt

    Strahlungsfester relativer Feuchtesensor (SRF)

    Zur Überwachung bei Hochenergie-Experimenten und Anlagen, die einer hohen Strahlenexposition ausgesetzt sind, werden relative Feuchtesensoren eingesetzt. Dieser funktioniert auch zuverlässig in sehr hohen Magnetfeldern und ist zudem auch für sehr tiefe Taupunkttemperaturen ausgelegt.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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  • Tieftemperatur-Photolumineszenzspektren an einer bordotierten Probe, die zusätzlich mit Kohlenstoff und Indium implantiert wurde, nach verschiedenen Behandlungsschritten - © CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH

    Projekt

    Time-resolved Luminescence Analysis of Semiconductors (TreLAS)

    Durch die Etablierung neuer Messmethoden konnte die Defektstruktur von Strahlungssensoren und Solarzellen aufgeklärt werden, und damit ein wichtiger Grundstein für eine verbesserte Strahlenresistenz insbesondere der Strahlungssensoren gelegt werden.

    Forschungseinrichtung: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
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