Ziel der Entwicklung

Logo: Leuchtende Frontseite einer 1060 Nanometer-Muster-LED
Leuchtende Frontseite einer 1060 Nanometer-Muster-LED

Das Vorhaben betraf eine Technologie zur Kontaktierung optoelektronischer Bauelemente. Ziel war die Entwicklung eines Beschichtungsverfahrens zum Erzeugen bondfähiger, haftfester, flacher, ohmscher Kontakte auf In-haltigen p-leitenden Halbleitern. Auf diesen Materialien basieren zum Beispiel InGaAs-LED im Spektralbereich 980 bis 1550 Nanometer und InP-Photodioden mit maximal Empfindlichkeit bei 1,3 Mikrometer. InGaAs-LED eignen sich auf Grund ihrer Emissionswellenlänge als Sendebauelemente für Datentransfer durch Lichtwellenleiter (LWL). Das Ziel wurde erreicht und die Technologie einem KMU zur Nutzung zur Verfügung gestellt. LED-Testmuster wurden erstellt. Bei diesen wurde insbesondere die hohe Haftfestigkeit der Kontakte nachgewiesen, die mit alternativen typischen Technologien beim Anwender zuvor nicht erreicht worden waren.

Vorteile und Lösungen

Die wichtigste Anwenderforderung betraf das Erzeugen bondfähiger, haftfester, flacher, ohmscher Kontakte auf In-haltigen p-leitenden Halbleitern. Das bringt ihm den Vorteil internationaler Wettbewerbsfähigkeit im Marktsegment LED im Spektralbereich von (1,3 – 1,55) Mikrometer. Derartige LED werden in den Bereichen Leistungsstrahler in der Textilindustrie / Lichtwellenleiter (LWL)-übertragung für KFZ- und Automatisierungstechnik sowie in Innennetzen / Wasser/Eissensoren in der KFZ-Technik / Lichtschrankenanwendungen in der Automatisierungs-, Sicherheits- und Militärtechnik / Lebensmittelanalyse / Sensorische Anwendungen (zum Beispiel für die Blutzuckeranalyse oder Fehlstellenanalysatoren für Lichtwellenleiter) / NIR-Lichtquellen in der Medizintechnik (zum Beispiel betreffen neueste Anwendungen den erfolgreichen Einsatz zur Vermeidung von Mundschleimhautentzündungen als häufigem Folgeschaden bei Chemotherapien oder Verbesserung genereller Wundheilung) nachgefragt.

Zielgruppe und Zielmarkt

Für die Einschätzung der wirtschaftlichen Effekte wird zunächst lediglich der Bedarf derjenigen Unternehmen angesetzt, die bisher ein Interesse an der geplanten Entwicklung zeigten. Es wird davon ausgegangen, daß es zu einem gemischten Absatz von Chips für Chip-On-Board-Lösungen und gehausten Chips kommt.
Die geplante Ausweitung des Marktsegmentes der InGaAs-LEDs wird einen wesentlichen Beitrag zur Sicherung vorhandener Arbeitsplätze im OUT e.V. und bei künftigen Nutzern leisten.