Ziel der Entwicklung

Logo: Si-Wafer mit Membranstrukturen, lokal gewachsene synthetische Diamantschichten. Selektives Wachstum über Liftoff der Seeding-Schicht. Weitere Strukturierung der Diamantschicht nicht notwendig - © CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH
Si-Wafer mit Membranstrukturen, lokal gewachsene synthetische Diamantschichten. Selektives Wachstum über Liftoff der Seeding-Schicht. Weitere Strukturierung der Diamantschicht nicht notwendig - © CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH

Sensoren sollen Messungen auch in aggressiven Umgebungen durchführen können. Dafür müssen sensible Sensoroberflächen durch eine Oberflächenpassivierung geschützt werden. Im Projekt wurden Oberflächenpassivierungen mittels synthetischen Diamantschichten untersucht.

Vorteile und Lösungen

Synthetische Diamantschichten können CMOS-kompatibel hergestellt und verarbeitet werden. Allerdings sind in der Regel starke Anpassungen in der Prozessabfolge notwendig. Ziel des Projektes war es, Diamantschichten gezielt auf relevante Sensorbereiche zu beschränken und damit eine Nachbearbeitung der Schichten (Strukturierung) zu vermeiden.

Zielgruppe und Zielmarkt

Passivierungen werden in verschiedenen Bereichen in der Sensortechnologie und Mikrosystemtechnik verwendet. Die im Projekt adressierten synthetischen Diamantschichten wurden als Passivierung im Bereich Drucksensorik und Impedanzmesstechnik verwendet.
Im CiS Forschungsinstitut wurden durch die aufgebauten Erfahrungswerte in den Bereichen Vorbereitung für die Diamantsynthese (Seeding), Diamantstrukturierung Technologiekompetenzen erworben. Diese Ergebnisse fließen in die weiteren Forschungsaufgaben und Projekte mit Industriepartnern ein.